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PNY Arbeitsspeicher (RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4)

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PNY Arbeitsspeicher (RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4)

Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronik beschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM. Technologie: DDR4 Spannung: 1,2 V Art: Speicher (RAM) Latenzzeit: CL19 RAM Speicher: 4 GB RAM Kompatibel: Laptop Geschwindigkeit: 2666 MHz Kapazität: 40 g 4 GB Speicher Typ: DDR4 TSMP: 20241204195246

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