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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5551 SOT-23 NPN

Bipolarer Transistor, Typ=MMBT5551, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=250, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=180 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=200 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101

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Hersteller:DIOTEC