Nitrogen Containing III-V Semiconductor Surfaces and Nanostructures, Fachbücher

Das Buch "Nitrogen Containing III-V Semiconductor Surfaces and Nanostructures" bietet eine umfassende Untersuchung von Stickstoff enthaltenden III-V Halbleiteroberflächen und Nanostrukturen. Es werden fortschrittliche Techniken wie die Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie eingesetzt, um die Eigenschaften und das Verhalten von Stickstoffatomen in verschiedenen Halbleitermaterialien zu analysieren. Die Forschung umfasst die Identifizierung einzelner Stickstoffatome in verdünnten GaAsN-Schichten sowie die Auswirkungen von Stickstoffverunreinigungen auf das Leitungsband von GaAs. Darüber hinaus wird die Bildung von InGaAs-QDs in Verbindung mit Stickstoff und die damit verbundenen strukturellen Veränderungen untersucht. Das Buch bietet wertvolle Einblicke in die physikalischen Eigenschaften von GaN-Oberflächen und die Rolle von Versetzungen in GaN-Wafern, was für Fachleute und Forscher im Bereich der Halbleitertechnologie von Bedeutung ist.