A Kinetic Model for the Oxidation of Silicon Germanium Alloys, Fachbücher von Mohamed Rabie

Das Buch "A Kinetic Model for the Oxidation of Silicon Germanium Alloys" bietet eine umfassende Analyse der Oxidationskinetik von Silizium-Germanium-Legierungen, die in den letzten Jahren aufgrund ihrer Anwendungsmöglichkeiten in Hochgeschwindigkeits- und Optoelektroniksystemen an Bedeutung gewonnen haben. Der Autor, Mohamed Rabie, untersucht die physikalischen Phänomene, die während des Oxidationsprozesses auftreten, und entwickelt ein physikalisches Modell, das die bisherigen Erkenntnisse anderer Forscher integriert. Das Buch beleuchtet die Herausforderungen bei der Vorhersage des Oxidationsprozesses und die Faktoren, die zur schlechten elektrischen Qualität des resultierenden Oxids beitragen. Es wird auch auf die unterschiedlichen Arten von Oxiden eingegangen, die während des Prozesses entstehen können, einschliesslich reinem SiO2 und Mischoxiden. Diese detaillierte Untersuchung ist für Fachleute und Forscher im Bereich der Materialwissenschaften und Halbleitertechnologie von grossem Interesse.