Indium Phosphide, Fachbücher von Agnes F. Vandome, Frederic P. Miller, John McBrewster
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Indium Phosphide (InP) ist ein binärer Halbleiter, der aus Indium und Phosphor besteht. Mit seiner kubischen Kristallstruktur, die der von Galliumarsenid (GaAs) und den meisten III-V-Halbleitern entspricht, bietet InP herausragende Eigenschaften für den Einsatz in der Hochfrequenz- und Hochleistungs-Elektronik. Die überlegene Elektronengeschwindigkeit von InP im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern wie Silizium und Galliumarsenid macht es zu einer bevorzugten Wahl für moderne elektronische Anwendungen. Darüber hinaus verfügt InP über eine direkte Bandlücke, was es besonders nützlich für optoelektronische Geräte wie Laserdioden macht. InP wird auch als Substrat für epitaxiale Indium-Gallium-Arsenid-basierte optoelektronische Geräte verwendet und zeichnet sich durch eine der längsten Lebensdauern optischer Phononen unter den Verbindungen mit der Zinkblende-Kristallstruktur aus.
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