Indium Nitride, Fachbücher von Agnes F. Vandome, Frederic P. Miller, John McBrewster
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Indium Nitride (InN) ist ein Halbleitermaterial mit kleinem Bandabstand, das vielversprechende Anwendungen in der Solarzellen- und Hochgeschwindigkeits-Elektronik bietet. Der Bandabstand von InN wurde auf etwa 0,7 eV festgelegt, was es ermöglicht, Wellenlängen bis zu 1900 nm zu nutzen. In Kombination mit Gallium-Nitrid (GaN) bildet InN das ternäre System Indium-Gallium-Nitrid (InGaN), das einen direkten Bandabstand von infrarot (0,65 eV) bis ultraviolett (3,4 eV) aufweist. Aktuelle Forschungen konzentrieren sich auf die Entwicklung von Solarzellen, die auf nitridebasierten Halbleitern basieren. Trotz der vielversprechenden Eigenschaften gibt es Herausforderungen, wie die p-dotierung von InN und indium-reichem InGaN sowie die heteroepitaxiale Wachstumsproblematik mit anderen Nitriden. Dünne polykristalline Filme von Indium-Nitrid können bei Helium-Temperaturen hochleitend und sogar supraleitend sein.
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