Dual Sleep Approach To Vlsi Design, Fachbücher von Khorshed Alam, Nittaranjan Karmakar, Mehdi Sadi

Das Buch "Dual Sleep Approach To VLSI Design" bietet eine umfassende Analyse und innovative Lösungen zur Reduzierung des Leckstroms in modernen CMOS-Technologien, insbesondere bei Feature-Grössen von 90nm und 65nm. Angesichts der wachsenden Bedeutung des Leckstroms für den Gesamtstromverbrauch in der Halbleitertechnik, wie im International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) beschrieben, stellt dieses Werk eine neuartige Methode vor, die als "dual sleep method" bezeichnet wird. Diese Methode ermöglicht nicht nur eine signifikante Reduzierung des Leckstroms, sondern spart auch Platz und bewahrt den genauen logischen Zustand, was sie von traditionellen Techniken abhebt. Im Vergleich zu gängigen Ansätzen in der VLSI-Entwicklung bietet die dual sleep method eine überlegene Leistung in Bezug auf Leckstrom- und dynamisches Energiemanagement sowie eine verbesserte Geschwindigkeit.