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MOCVD growth and electrical characterisation of InAs thin films, Fachbücher von Precious Shamba

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Das Buch "MOCVD growth and electrical characterisation of InAs thin films" bietet eine umfassende Untersuchung der Wachstumsdynamik von Indiumarsenid (InAs) durch die Methode der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD). InAs ist aufgrund seiner engen Bandlücke und hohen Elektronenmobilität von grossem Interesse für die Entwicklung quantenbeengter Geräte wie Laser und Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren. Trotz der Relevanz von InAs in der Halbleitertechnologie gab es nur wenige systematische Studien zu diesem Material, insbesondere in Bezug auf die grundlegenden Materialcharakteristika. Dieses Fachbuch zielt darauf ab, das Verständnis der elektrischen und strukturellen Eigenschaften von InAs zu vertiefen, insbesondere im Hinblick auf den Einfluss von n- und p-Typ Dotierstoffen. Die Ergebnisse dieser Forschung sind entscheidend für die Weiterentwicklung von Geräten, die auf InAs basieren.

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