Passivation Kinetics at Semiconductor Interfaces, Fachbücher von Ligia Gheorghita

Das Buch "Passivation Kinetics at Semiconductor Interfaces" von Ligia Gheorghita bietet eine umfassende Untersuchung der Wechselwirkungen von atomarem Wasserstoff mit Defekten an GaAs-Oberflächen und Si/SiO2-Schnittstellen. Durch kontinuierliche Überwachung der Photolumineszenz eines GaAs-Wafers in einem Entladefluss-System wurde eine anfängliche irreversible Passivierung der Oberfläche in Anwesenheit von Wasserstoffatomen festgestellt. Diese wurde gefolgt von einer verbesserten, reversiblen Passivierung, die eintrat, als die Exposition gegenüber atomarem Wasserstoff eingestellt wurde. Ähnliche Ergebnisse wurden auch für die Defektkonzentration an der Si/SiO2-Schnittstelle erzielt, wobei ein Fern-RF-Probe verwendet wurde, um die photogenerierten Träger in situ zu messen. Die Ergebnisse zeigen, dass Wasserstoffatome an interstitiellen Stellen in der Nähe beider Schnittstellen gefangen werden können. Darüber hinaus wurde die Reaktion von molekularem Wasserstoff mit Defekten an Si/SiO2-Schnittstellen untersucht, was auf die Existenz weiterer interfacialer Defekte hinweist, die in früheren Studien nicht nachgewiesen werden konnten.