Etching performance of silicon wafers with redesigned etching drum, Fachbücher von Rozzeta Dolah, Hamidon Musa

Das Fachbuch "Etching Performance of Silicon Wafers with Redesigned Etching Drum" bietet eine umfassende Analyse des Ätzprozesses von Siliziumwafern und dessen Einfluss auf die Qualität der Wafer. Es wird ein experimenteller Ansatz vorgestellt, der die Design of Experiments (DOE) Methode mit einem vollständigen faktoriellen Design nutzt, um die verschiedenen Einflussfaktoren zu optimieren. Zu den untersuchten Faktoren gehören die Blasenflussrate, die Rotation der Wafer und die Temperatur des Ätzmittels. Die Ergebnisse dieser Studie umfassen die Ätzentfernung, die totale Dickenvariation (TTV) und die Helligkeit der Wafer. Durch die Analyse der Wechselwirkungen zwischen den Faktoren wird aufgezeigt, wie eine höhere Blasenflussrate erforderlich ist, um die Spezifikationen für Ätzentfernung und Helligkeit zu erfüllen. Zudem wird die Oberflächenbeschaffenheit der Wafer nach dem Ätzen mithilfe der ADE Infotool-Software untersucht, um das Profil und die Dicke der geätzten Oberfläche zu erfassen. Das Buch schliesst mit der Beobachtung der Gleichmässigkeit der Entfernung im neu gestalteten Ätzzylinder ab, was zu einer verbesserten Ätzleistung führt.