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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell, Fachbücher von Navneet Kaur, Rohin Gupta, S. S. G...

54,90 €

Das Buch "CMOS SRAM Design and Analysis of Low Leakage and High Speed SRAM Cell" bietet eine umfassende Untersuchung neuartiger SRAM-Zellen, insbesondere der 5T- und 6T-Varianten. Es wird ein innovatives Design vorgestellt, das eine hohe Dichte aufweist und weniger Fläche benötigt als herkömmliche 6T-SRAM-Zellen. Ein zentrales Merkmal dieser Zellen ist der signifikant reduzierte Leckstrom, was sie zu einer energieeffizienten Lösung macht. Das Buch behandelt auch die Notwendigkeit eines Vorladekreises, der für die Funktionalität dieser Zellen erforderlich ist, und hebt die Stabilität der gespeicherten Daten hervor. Darüber hinaus werden verschiedene Techniken zur Verbesserung der Leistung und Effizienz der Zellen diskutiert, einschliesslich der Anpassung des Seitenverhältnisses und der Anwendung von Clock Gating. Diese Aspekte machen das Buch zu einer wertvollen Ressource für Fachleute und Studierende im Bereich der Halbleitertechnik und Schaltungsdesign.

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