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Transistor N-MosFet 600V 12A TO220 FDPF12N60NZ

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Transistor N-MosFet 600V 12A TO220 FDPF12N60NZ

TECHNISCHE DATEN: Transistor Polarität Kanal N Drain-Source Spannung 600V Drainstrom kontinuierlich 12A Leiterzustandswiderstand 0,53ohm TO-220F-Gehäuse Verlustleistung 39W Anzahl der Pins 3 Max. Betriebstemperatur150°C

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Hersteller:ON Semiconductor