IRF 1310NS - MOSFET, N-Ch 100V 42A 0,036R, D2-PAK

HEXFETs der fünften Generation von international Rectiftier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für die HEXFETs Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird im Allgemeinen für alle kommerziellen/industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung. von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Anerkennung in der Industrie bei.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• Oberflächenmontage (IRF 1310NS)• flache Durchgangsbohrung (IRF 1310NL)• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-tauglich