IRF 5305 - MOSFET, P-Ch, -55V -31A 0,06R, TO-220AB

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 Watt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• dynamische dv/dt Bewertung• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-geeignet• P-Kanal• bleifrei