IRF 7103 - MOSFET, N-Ch 50V 3A 0,13R 2W, SO-8

HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt.Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• extrem niedriger On-Widerstand• Zweifach-N-Kanal-MOSFET• Oberflächenmontage• erhältlich in Tape & Reel• dynamische dv/dt-Bewertung• schnelles Schalten