IRF 7104 - Dual-MOSFET, P-Ch, -20V -2,3A 0,19R, SO-8

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften und Dual-Die-Fähigkeit modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W ist in einer typischen PDB-Montageanwendung möglich.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• extrem niedriger On-Widerstand• Zweifach-N-Kanal-MOSFET• Oberflächenmontage• erhältlich in Tape & Reel• dynamische dv/dt-Bewertung• schnelles Schalten