IRF 840LC VIS - MOSFET, N-Ch 500V 8A 0,85R, TO-220AB

Diese neue Serie von Low-Charge-Power-MOSFETs erreicht eine deutlich geringere Gate-Ladung als herkömmliche MOSFETs. Durch den Einsatz der neuen LCDMOS-Technologie werden die Verbesserungen ohne zusätzliche Produktkosten erreicht, was zu geringeren Gate-Ansteuerungsanforderungen und Gesamtsystemeinsparungen führt. Darüber hinaus lassen sich in einer Vielzahl von Hochfrequenzanwendungen geringere Schaltverluste und ein verbesserter Wirkungsgrad erzielen. Mit den neuen Low-Charge-MOSFETs sind Frequenzen von einigen MHz bei hohem Strom möglich. Diese Bauteilverbesserungen in Verbindung mit der bewährten Robustheit und Zuverlässigkeit, die für Power-MOSFETs charakteristisch sind, bieten dem Entwickler einen neuen Standard für Leistungstransistoren für Schaltanwendungen.Eigenschaften• extrem niedrige Gate-Ladung• reduzierter Gate-Drive-Bedarf• verbesserte 30 V VGS-Bewertung• reduzierte Ciss, Coss, Crss• extrem hoher Frequenzbetrieb• repetitive Avalanche-Bewertung• konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC