IRFI 3205 - MOSFET, N-Ch 55V 64A 63W, TO-220-Fullpak

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften und Dual-Die-Fähigkeit modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W ist in einer typischen PDB-Montageanwendung möglich.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• extrem niedriger On-Widerstand• doppelter n-Kanal-MOSFET• Oberflächenmontage• dynamische dv/dt-Bewertung• erhältlich in Tape & Reel• schnelles Schalten