IRL 520NS - MOSFET, N-Ch 100V 10A RDS (on) 0,18R, D2-PAK

HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• Gattersteuerung auf Logikniveau• Oberflächenmontage (IRL520NL)• Low-Profile-Durchgangsbohrung (IRL520NL)• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-geeignet• bleifrei