IRLR 024N - MOSFET, N-Ch 55V 17A 0,065R, D-PAK

HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifiernutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen SchaltgeschwindigkeitSchaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETsfür die HEXFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein extrem effizientes Bauelement füreiner Vielzahl von Anwendungen.Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oderWellenlöttechniken. Die Version mit geradem Anschluss (Serie IRFU) ist fürAnwendungen mit Durchgangslochmontage. Verlustleistungen von bis zu 1,5 Wattsind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich.Eigenschaften• Logik-Level Gate Drive• Oberflächenmontage (IRLR024N)• gerader Anschluss (IRLU024N)• fortschrittliche Prozesstechnologie• schnelles Schalten• voll Avalanche Rated• bleifrei