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IRLR 2905Z IR - MOSFET, N-Ch 55V 42A 0,0135R, D-Pak

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IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETAllgemeine BeschreibungDieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein verbessertes repetitives Avalanche-Rating. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Merkmale• Logik-Pegel• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra niedriger Ein-Widerstand• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• Bleifrei

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