IRLZ 24N IR - MOSFET, N-Ch 55V 18A 0,06R, TO-220

BeschreibungHEXFETs der fünften Generation von international rectifierr nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• Logik-Pegel-Gate-Ansteuerung• fortschrittliche Prozesstechnologie• dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• voll Avalanche-tauglich• schnelles Schalten