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MCP 14E8-E/SN - 2,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., SO-8

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MCP 14E8-E/SN - 2,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., SO-8

2,0A Dual-High-Speed-Leistungs-MOSFET-Treiber mit EnableBeschreibungDie MCP14E6/7/8-Bausteine sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 2,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Shoot-Through-Strom, schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten und Laufzeitverzögerungen aus, was sie ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz macht. Die MCP14E6/7/8-Bausteine arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1000 pF an MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der vorgesehene Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der Ausgänge des MCP14E6/7/8 wird durch die Verwendung von separaten Enable-Funktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind active-high und werden intern auf VDD gezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei belassen werden. Die MCP14E6/7/8-Treiberfamilie mit zwei Ausgängen und 2,0 A wird sowohl in oberflächenmontierten als auch in durchkontaktierten Gehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige Wärmewiderstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung für die Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bauteile sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungsnennwerte hochgradig latch-up-resistent. Sie werden nicht beschädigt, wenn am Masse-Pin Rauschspitzen von bis zu 5V (beider Polarität) auftreten. Die Bausteine sind vollständig gegen Latch-up geschützt, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) geschützt, bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM).Merkmale• MCP14E6 Zweifach invertierend• MCP14E7 Zweifach nicht-invertierend• MCP14E8 Einmal invertierend, einmal nicht invertierend• Hoher Spitzenausgangsstrom: 2,0 A (typisch)• Unabhängige Enable-Funktion für jeden Treiberausgang• Weiter Eingangsversorgungsspannungsbereich: - 4,5V bis 18V• Niedriger Shoot-Through/Cross-Conduction-Strom in Ausgangsstufe• Hohe kapazitive Lasttreiberfähigkeit:- tR: 12 ns mit 1000 pF Last (typisch)- tF: 15 ns mit 1000 pF Last (typisch)• Kurze Verzögerungszeiten: 45 ns (typisch)• Niedriger Versorgungsstrom:- Mit logischem '1'-Eingang/Enable - 1 mA (typisch)- Mit logischem '0'-Eingang/Enable - 300 µA (typisch)• Latch-up-geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A• Logikeingang widersteht negativem Swing, bis zu 5V• Platzsparende Gehäuse: - 8-poliges SOIC, PDIP, 6x5 DFNAnwendungen• Schaltnetzteile• Impuls-Transformator-Antrieb• Leitungstreiber• Motor- und Solenoid-Antrieb

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