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NTE 575 - Gleichrichterdiode, 1000 V, 1 A, DO-41

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Variante

NTE 575 - Gleichrichterdiode, 1000 V, 1 A, DO-41

Eigenschaften• geringes Schaltrauschen• niedriger Vorwärtsspannungsabfall• niedriger Wärmewiderstand• hohe Strombelastbarkeit• hohe Schaltleistung• hohe Surge-Fähigkeit• hoch ZuverlässigkeitMaximale Nennwerte und elektrische Eigenschaften(TA = +25°C, sofern nicht anders angegeben. Einphasig, Halbwelle, 60 Hz, ohmsche oder induktive Last. Bei kapazitiver Last ist der Strom um 20% zu reduzieren)• Maximale wiederkehrende Spitzensperrspannung, VRRM...1000V• Maximale Effektivspannung, VRMS...700V• Maximale DC-Sperrspannung, VDC...1000V• Maximaler durchschnittlicher vorwärts gleichgerichteter Ausgangsstrom (TA = +55°C), I(AV)...1A• Spitzenvorwärts-Stoßstrom, IFSM• (8,3ms einfache Halbsinuswelle, die der Nennlast überlagert wird)...35A• Maximale momentane Vorwärtsspannung (bei 1A), VF...1,5V• Maximaler DC-Rückwärtsstrom (VDC = 1000V), IR...50µA• Maximale Rückwärtserholungszeit (IF = 0,5A, IR = 1A, IRR = 0,25A), trr...70ns• Typische Sperrschicht-Kapazität (Hinweis 1), CJ...15pF• Wärmewiderstand, Sperrschicht gegen Luft (w/fin), RthJA...50°C/W• Betriebstemperaturbereich an der Sperrschicht, TJ... -65° bis +150°C• Lagertemperaturbereich, Tstg... -65° bis +150°C

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Hersteller:NTE ELECTRONICS