MASTERGAN2 - GaN H-Brücke, 600 V, 10/6,5 A, 0,15/0,225 Ohm,QFN-31

Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren (Anreicherungstyp) in Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten GaN-Leistungstransistoren haben eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V und einen RDS(ON) von 150 mOhm bzw. 225 mOhm für die Low- bzw. High-Seite, während die High-Seite des integrierten Gate-Treibers problemlos durch die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden kann.Der MASTERGAN2 verfügt sowohl im unteren als auch im oberen Treiberbereich über einen UVLO-Schutz, der verhindert, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen betrieben werden, und die Verriegelungsfunktion vermeidet Querschlüsse.Technische MerkmaleQFN 9 x 9 x 1 mm packageRDS(ON) = 150 mOhm (LS) + 225 mOhm (HS)IDS(MAX) = 10 A (LS) + 6,5 A (HS)Der erweiterte Bereich der Eingangspins ermöglicht eine einfache Anbindung an Mikrocontroller, DSP-Einheiten oder Hall-Effekt-Sensoren.Der Baustein ist in einem kompakten 9x9 mm QFN-Gehäuse erhältlich. Besondere MerkmaleAsymmetrische HalbbrückeRückwärtsstromfähigkeitNull RückspeiseverlustUVLO-Schutz auf Low-Side und High-SideInterne Bootstrap-DiodeInterlocking-FunktionDedizierter Pin für Shutdown-FunktionalitätPräzise interne Zeitanpassung3,3 V bis 15 V kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-downSchutz vor ÜbertemperaturenReduzierte BOMSehr kompaktes und vereinfachtes LayoutFlexibles, einfaches und schnelles DesignAplikationenSchaltnetzteileLadegeräte und AdapterHochspannungs-PFC-, DC-DC- und DC-AC-WandlerUPS-SystemeSolarstrom