Preisvergleich / Elektronik / Elektrozubehör / DG15X06T1 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 27 A, 235 W, TO-220

DG15X06T1 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 27 A, 235 W, TO-220

1,70 €

DG15X06T1, 600 V IGBT mit DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Deine Shops für beste Deals

Logo - reichelt elektronik

reichelt elektronik

0 Punkte
% Best Deal

1,70 €

zum Shop
Versand: 5,95 € | Lieferzeit: 1-3 Werktage

Ähnliche Produkte

DG20X06T1 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 42 A, 313 W, TO-220

DG20X06T1 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 42 A, 313 W, TO-220

1 Angebot

1,99 €

DG10X06T1 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600V, 25A, 196W, TO-220

DG10X06T1 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600V, 25A, 196W, TO-220

1 Angebot

1,50 €

DG50X12T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 100 A, 1049 W, TO-247 Plus

DG50X12T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 100 A, 1049 W, TO-247 Plus

1 Angebot

7,70 €

DG30X07T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 60 A, 208 W, TO-247

DG30X07T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 60 A, 208 W, TO-247

1 Angebot

2,60 €

DG15X12T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 138 W, TO-247

DG15X12T2 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 138 W, TO-247

1 Angebot

2,85 €

GD200HFY120C2S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 200 A, C2.0-Gehäuse

GD200HFY120C2S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 200 A, C2.0-Gehäuse

1 Angebot

99,20 €

GD450HFY120C6S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 450 A, C6.1-Gehäuse

GD450HFY120C6S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 450 A, C6.1-Gehäuse

1 Angebot

146,20 €

GD75HFY120C1S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 75 A, C1.0-Gehäuse

GD75HFY120C1S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 75 A, C1.0-Gehäuse

1 Angebot

49,10 €

IKP10N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 24 A, 110 W, TO-220

IKP10N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 24 A, 110 W, TO-220

1 Angebot

1,85 €

IKB06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, D2Pak

IKB06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, D2Pak

1 Angebot

1,40 €

IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3

IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3

1 Angebot

3,99 €

IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247

IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247

1 Angebot

9,70 €

IGB15N60T - IGBT-Transistor, 600, V, 15, A, 130, W, D2Pak

IGB15N60T - IGBT-Transistor, 600, V, 15, A, 130, W, D2Pak

1 Angebot

1,80 €

IXDN 75N120 - IGBT, N-Kanal, 1200 V, 150 A, 630 W, SOT-227B

IXDN 75N120 - IGBT, N-Kanal, 1200 V, 150 A, 630 W, SOT-227B

1 Angebot

40,70 €

IGB10N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 10 A, 110 W, D2Pak

IGB10N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 10 A, 110 W, D2Pak

1 Angebot

1,50 €

Produktinfos

Informationen

Lieferzeit:1-3 Werktage
Hersteller:STARPOWER