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IGP30N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220

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IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale und Vorteile:Angebot an Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• Maximale Sperrschichttemperatur 175°C• Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen• Pb-freie Verbleiung; RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Applikationen:• Solar-Umrichter• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Konverter für das Schweißen• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich (kostenlose Version)

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