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IRLB 3813 IR - MOSFET, N-Ch 30V 260A 0,00195R, TO-220

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IRLB 3813 IR - MOSFET, N-Ch 30V 260A 0,00195R, TO-220

HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz• Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und Strom• BleifreiAnwendungen:• Optimiert für USV/Inverter-Anwendungen• Isolierte Hochfrequenz-DC-DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikations- und Industrieanwendungen• Elektrowerkzeuge

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