DN3545N3-G - MOSFET, N-Ch 450V 0,136A 20R, TO-92

Vertikaler N-Kanal-DMOS-FET im VerarmungsmodusBeschreibungDiese Verarmungstransistoren (normally-on) verwenden eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und das bewährte Silizium-Gate-Herstellungsverfahren von Supertex. Diese Kombination führt zu Bauelementen mit den Leistungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass diese Bauteile frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch sind. Die vertikalen DMOS-FETs von Supertex eignen sich ideal für eine breite Palette von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten gewünscht werden.Merkmale• Hohe Eingangsimpedanz• Niedrige Eingangskapazität• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten• Niedriger Einschaltwiderstand• Frei von sekundären Durchschlägen• Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage