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OP 505W - Fototransistor, NPN, 30V, 100mA, 0,1W, bedrahtet

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OP 505W - Fototransistor, NPN, 30V, 100mA, 0,1W, bedrahtet

NPN-Silizium-Phototransistoren Typ OP505WDer OP505W besteht aus einem NPN-Silizium-Fototransistor, der in einem blau getönten Kunststoffgehäuse untergebracht ist. Der große Empfangswinkel ermöglicht einen relativ gleichmäßigen Empfang über einen großen Bereich. Dieser Baustein wurde zu 100 % in der Produktion mit Infrarotlicht getestet, um eine enge Übereinstimmung mit den GaAs- und GaAIAs-Emittern von Optek zu gewährleisten.Absloute Höchstwerte (TA=25°C, sofern nicht anders angegeben)• Kollektor-Emitter-Spannung...30V• Emitter-Kollektor-Spannung...5.0V• Lager- und Betriebstemperaturbereich...-40°C bis + 100°C• Löttemperatur der Zuleitung (1/16 Zoll (1,6 mm) vom Gehäuse für 5 Sek. mit Lötkolben)...260°C• Verlustleistung...100mWEigenschaften• großer Empfangswinkel• T-1-Gehäusetyp• kleine Gehäusegröße für platzbeschränkte Anwendungen

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