FDV 304P - MOSFET, P-Ch, -25V -0,46A 1,1R, SOT-23

Digitaler FET, P-KanalBESCHREIBUNGDiese P-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semiconductor mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist auf die Minimierung des Widerstandes im eingeschalteten Zustand bei niedrigen Gate-Treiberbedingungen zugeschnitten. Dieser Baustein wurde speziell für den Einsatz in Batterieanwendungen wie Notebook-Computern und Mobiltelefonen entwickelt. Dieser Baustein hat einen ausgezeichneten Widerstand im eingeschalteten Zustand, selbst bei Gate-Steuerspannungen von nur 2,5 Volt.Merkmale:• -25 V, -0,46 A kontinuierlich, -1,5 A Spitze.- RDS(ON) = 1,1 Ohm bei VGS = -4,5 V- RDS(ON) = 1,5 Ohm bei VGS= -2,7 V.• Sehr niedrige Anforderungen an den Gate-Treiber, die einen direkten Betrieb in 3V-Schaltungen ermöglichen. VGS(th) < 1,5V.• Gate-Source-Zener für ESD-Robustheit. >6kV Menschliches Körpermodell• Kompakte Oberflächenmontage nach Industriestandard SOT-23 Paket.