28C64-150 SU - EEPROM, 64 Kb (8 K x 8), 5 V, 150 ns, SO-28

5V 64Kbit (8Kbit x 8) Paralleles EEPROM mit Software-DatenschutzBeschreibung:Der AT28C64B ist ein elektrisch löschbarer und programmierbarer Nur-Lese-Speicher (EEPROM) mit hoher Leistung. Sein 64K-Speicher ist als 8.192 Wörter zu 8 Bit organisiert. Der mit der fortschrittlichen nichtflüchtigen CMOS-Technologie von Atmel hergestellte Baustein bietet Zugriffszeiten von 150 ns bei einer Verlustleistung von nur 220 mW. Wenn der Baustein abgewählt wird, beträgt der CMOS-Standby-Strom weniger als 100 µA. Auf den AT28C64B wird wie auf ein statisches RAM für den Lese- oder Schreibzyklus zugegriffen, ohne dass externe Komponenten erforderlich sind. Der Baustein enthält ein 64-Byte-Seitenregister, um das gleichzeitige Schreiben von bis zu 64 Bytes zu ermöglichen. Während eines Schreibzyklus werden die Adressen und 1 bis 64 Byte Daten intern gelatcht, wodurch der Adress- und Datenbus für andere Operationen frei wird. Nach der Einleitung eines Schreibzyklus schreibt das Gerät die zwischengespeicherten Daten automatisch mit Hilfe eines internen Steuerzeitgebers. Das Ende eines Schreibzyklus kann durch DATA POLLING von I/O7 erkannt werden. Sobald das Ende eines Schreibzyklus erkannt wurde, kann ein neuer Zugriff für einen Lese- oder Schreibzugriff beginnen. Der AT28C64B von Atmel verfügt über zusätzliche Funktionen, um eine hohe Qualität und Herstellbarkeit zu gewährleisten. Der Baustein verwendet eine interne Fehlerkorrektur für eine verlängerte Lebensdauer und verbesserte Datenhaltungseigenschaften. Ein optionaler Software-Datenschutzmechanismus ist zum Schutz vor unbeabsichtigten Schreibvorgängen verfügbar. Der Baustein enthält zusätzlich 64 Byte EEPROM zur Baustein-Identifikation oder -Verfolgung.Merkmale• Schnelle Lesezugriffszeit - 150 ns• Automatische Seitenschreiboperation - Interne Adress- /Datenspeicher für 64 Bytes• Schnelle Schreibzykluszeiten - Seitenschreibzykluszeit: maximal 10 ms (Standard) - 1 bis 64-Byte-Seitenschreiboperation• Geringe Verlustleistung- 40 mA Wirkstrom- 100 µA CMOS-Standby-Strom• Hardware- und Software-Datenschutz• DATA-Abfrage und Toggle-Bit zur Erkennung des Schreibendes• Hochzuverlässige CMOS-Technologie- Ausdauer: 100.000 Zyklen- Vorratsdatenspeicherung: 10 Jahre• Einzelne 5V ±10% Versorgung• CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• JEDEC genehmigte Byte-weite Pinbelegung• Industrielle Temperaturbereiche• Nur grüne (Pb/Halbzeugfreie) Verpackungsoption