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BS170 ONS - MOSFET, N-Ch 60V 0,5A 0,83W, 5R, TO-92

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BS170 ONS - MOSFET, N-Ch 60V 0,5A 0,83W, 5R, TO-92

FeldeffekttransistorN-Kanal, AnreicherungsmodusDiese N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus sind mit der von Onsemi entwickelten DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Diese Produkte wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung zu bieten. Sie können in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 500 mA DC benötigen. Diese Produkte sind besonders für Anwendungen mit niedriger Spannung geeignet, wie z. B. die Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.MerkmaleHochdichtes Zellendesign für niedrigen RDS(ON)Spannungsgesteuerter KleinsignalschalterRobust und zuverlässigHoher SättigungsstromPb-frei

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