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BSM180D12P3C007 - SiC-MOSFET Half-Bridge+2xSBD, 1200V 180A C-Park

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BSM180D12P3C007 - SiC-MOSFET Half-Bridge+2xSBD, 1200V 180A C-Park

SiC Leistungs-MOSFETMerkmaleNiedrige Anstiegs und niedrige SchaltverlusteHohe Schaltgeschwindigkeiten möglichReduzierte TemperaturabhängigkeitAnwendungMotorantriebWechselrichter, UmrichterPhotovoltaik, WindenergieerzeugungInduktionsheizgeräteAufbauDieses Produkt ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD von ROHM

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