FCH165N60E ONS - MOSFET, N-Ch 600V 23A 227W, 0,165R, TO-247

Leistungs-MOSFETSUPERFET II, Easy-DriveSUPERFET II MOSFET ist ON Semiconductor's brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie, die die Charge Ladungsausgleichstechnologie nutzt, um einen besonders niedrigen On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung zu erzielen. Diese Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren und eine überragende Schaltleistung, dv/dt-Rate und höhere Avalanche-Energie zu bieten. Die SUPERFET II MOSFET easy-drive-Serie bietet etwas langsamere Anstiegs- und Abfallzeiten als die SUPERFET II MOSFET-Serie. Diese Serie, die durch das Suffix ''E'' gekennzeichnet ist, hilft bei der Bewältigung von EMI-Problemen und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung. Für schnellere Schaltvorgänge in Anwendungen, bei denen Schaltverluste auf ein absolutes Minimum reduziert werden müssen, sollten Sie die SUPERFET II MOSFET-Serie in Betracht ziehen.Merkmale650 V @ TJ = 150°CTyp. RDS(on) = 132 mOhmExtrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 57 nC)Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 204 pF)100% Avalanche-getestetPb-frei und RoHS-konformAnwendungenTelekommunikations-/Server-NetzteileIndustrielle Stromversorgungen