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STB18N60M2 - MOSFET N-Ch+Z-Dio, 600V 13A 110W, 0,28R, D²Pak

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MDmesh™ M2 Leistungs-MOSFETDiese N-Kanal Leistungs-MOSFETs sind mit der MDmesh™ M2-Technologie entwickelt. Dank ihres Streifenlayouts und der verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Bauelemente einen niedrigen Einschaltwiderstand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie sich für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler eignen.MerkmaleÄußerst niedrige Gate-LadungAusgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)100% Avalanche-getestetZener-geschütztAnwendungenSchaltanwendungenLLC-Wandler, Resonanzwandler

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