VN0550N3-G - MOSFET, N-Ch 500V 0,05A 60R, TO-92

VN0550Dieser Transistor im Anreicherungsmodus (normally-off) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit den Leistungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine sehr niedrige Schwellenspannung, eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind. Frei von sekundären Ausfällen Geringer Leistungsbedarf des Antriebs Leichte Parallelisierung Niedriger CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten Ausgezeichnete thermische Stabilität Integrierte Source-Drain-Diode Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung