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IKW75N65EL5 - IGBT-Transistor, 650 V, 80 A, 536 W, TO-247

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Die neue L5 IGBT-Familie von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT-Familie von Infineon wurde speziell für niedrige Schaltfrequenzen im Bereich von 50 Hz bis 20 kHz optimiert. Die Optimierung des Trägerprofils der innovativen 55 µm TRENCHSTOP™ 5-Dünnwafertechnologie ermöglicht eine Reduzierung der Leitungsverluste auf ein intrinsisch niedriges Niveau - 1,05V für 30 A IGBT und 1,10 V für 75 A IGBT.Zusammenfassung der Merkmale Niedrigste Sättigungsspannung V CE(sat) von nur 1,05V Geringe Schaltverluste von 1,6mJ bei 25°C für 30A IGBT Hohe thermische Stabilität der elektrischen Parameter - nur 2% Drift bei T j Erhöhung von 25°C auf 175°CVorteile Höherer Wirkungsgrad für 50Hz Längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit des IGBT Hohe Konstruktionszuverlässigkeit durch stabiles thermisches Verhalten

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