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IKW40N65H5FKS - IGBT-Transistor, 650 V, 74 A, 250W, TO-247

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High Speed 650 V, 40 A hart schaltender TRENCHSTOPTM IGBT5 in einem TO-247-Gehäuse, zusammen mit einer schnellen RAPID 1 und einer weichen antiparallelen Diode, wird als klassenbester'' IGBT definiert.Zusammenfassung der Merkmale 650-V-Durchbruchsspannung Verglichen mit der klassenbesten HighSpeed 3-Familie Um den Faktor 2,5 niedrigeres Qg Um den Faktor 2 reduzierte Schaltverluste 200mV Reduzierung der VCEsat Co-packed mit Rapid-Si-Dioden-Technologie Niedrige COES/EOSS Mild positiver Temperaturkoeffizient VCEsat Temperaturstabilität von VfVorteile Klassenbester Wirkungsgrad, was zu einer niedrigeren Sperrschicht- und Gehäusetemperatur und damit zu einer höheren Zuverlässigkeit des Bauelements führt 50 V Erhöhung der Busspannung ohne Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit möglich Design mit höherer Leistungsdichte

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