IKD10N60RC2 - IGBT-Transistor, 600, V, 10, A, 79, W, TO-252

600 V, 10 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im TO-252 GehäuseRC-Drive 2 600 V, 10 A IGBT-Diskret im PG-TO252-3-Gehäuse. RC-D2 mit der monolithisch integrierten Diode bietet Verbesserungen der Leistung, Regelbarkeit und Zuverlässigkeit im Vergleich zum RC-DF.Zusammenfassung der Merkmale Verbesserte Regelbarkeit Betriebsbereich bis zu 20 kHz Feuchtigkeitsresistentes Design Kurzschlussfestigkeit 3 us bei 400V Vcc , TC = 150 °C Sperrschichttemperatur 175 °C Sehr enge Parameterverteilung Pb-freie Bleiplattierung, RoHs-konform Vollständiges Produktspektrum und SPICE-ModelleVorteile Geringe Schaltverluste bei wettbewerbsfähigem Preis Verbesserte Kontrollierbarkeit Luftfeuchtigkeit Verbesserung der Robustheit Einfaches Design in Produkten - Drop-in-SMD-Ersatz in DPAK und SOT Hohe Systemrealisierbarkeit Ermöglicht die Inverterisierung von Small Appliance-Anwendungen mit SOTAnwendungen Dunstabzugshaube Haushaltsgeräte Kühl- und Gefriergeräte - Kompressorantriebe Wohnklimatisierung Tischküchengeräte - Küchenmaschinen, Rührgeräte und Mixer