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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846BW SOT-323 NPN
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Variante
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846BW SOT-323 NPN
Bipolarer Transistor, Typ=BC846BW, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=520, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=80 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=45 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=600 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=SOT-323, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101
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