Single Electron Spin Measurements in Submicron Si MOS-FETs, Fachbücher von Ming Xiao

Das Fachbuch "Single Electron Spin Measurements in Submicron Si MOS-FETs" von Ming Xiao bietet eine umfassende Untersuchung der Messungen eines einzelnen elektronischen Spins in der Gate-Oxidschicht von submikronen Silizium-Feldeffekttransistoren. Es wird erläutert, wie Defekte an der Schnittstelle zwischen Silizium und Siliziumdioxid die Leitfähigkeit der Transistoren erheblich beeinflussen können. Insbesondere wird die Rolle isolierter Fangzustände in submikronen Transistoren beleuchtet, die für das Tunneln von Elektronen entscheidend sind. Die Studie umfasst die statistische Analyse und die Dynamik einzelner Defekte, die durch das Phänomen des zufälligen Telegraphensignals (RTS) untersucht werden. Darüber hinaus wird erstmals die Spin-Eigenschaft dieser Defekte analysiert, wobei die Abhängigkeit der RTS-Statistik von einem externen Magnetfeld betrachtet wird. Die Verwendung von Mikrowellenstrahlung zur Detektion der magnetischen Resonanz eines einzelnen Elektronenspins wird ebenfalls behandelt, was zu bedeutenden Erkenntnissen über die Spin-Zustände führt.