Quantum Mechanical Effects On Mosfet Scaling Limit, Fachbücher von Lihui Wang

Das Buch "Quantum Mechanical Effects On Mosfet Scaling Limit" von Lihui Wang bietet eine umfassende Analyse der Herausforderungen, die bei der Skalierung von CMOS-Technologie auftreten. Es wird erläutert, wie die klassischen physikalischen Modelle an ihre Grenzen stossen, wenn es um die Leistung und das Verhalten von MOSFETs in nanoskaligen Anwendungen geht. Der Autor beschreibt fortschrittliche Modelle, die kritische quantenmechanische Effekte wie das direkte Tunneln des Gates und die Energiequantisierung von Ladungsträgern berücksichtigen. Diese Modelle sind entscheidend, um die Grenzen der MOSFET-Skalierung zu prognostizieren, wobei verschiedene Kriterien wie die Leistung des Schaltkreises, die Verzögerung, der Leckstrom des Geräts und die Anforderungen an die Systemuniformität berücksichtigt werden. Das Buch hebt die Notwendigkeit hervor, neue Materialien und Strukturen zu entwickeln, um den Skalierungsprozess in der Halbleitertechnologie fortzusetzen.