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Electronic and Vibrational Properties of GeSn and SiGeSn Alloys, Fachbücher von Vijay D'Costa

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Das Buch "Electronic and Vibrational Properties of GeSn and SiGeSn Alloys" bietet eine umfassende Untersuchung der elektronischen und vibrationalen Eigenschaften von GeSn- und SiGeSn-Legierungen, die ein vielversprechendes Potenzial für Anwendungen in der Infrarot-Optoelektronik und Photovoltaik aufweisen. Es behandelt detailliert die Zusammensetzung dieser Legierungen und analysiert die optischen Übergangsenergien in der elektronischen Bandstruktur mithilfe von spektroskopischer Ellipsometrie und Photoreflektanz. Die Ergebnisse zeigen, dass GeSn-Legierungen bereits bei einer Sn-Konzentration von 6-11 % als direkte Bandlücke-Materialien fungieren können. Darüber hinaus wird die Abhängigkeit der optischen Übergänge von der atomaren Grössenanpassung und der Elektronegativitätsdifferenz zwischen Si, Ge und Sn untersucht. Die Raman-Spektren der GeSn-Legierungen zeigen charakteristische optische und disorder-aktivierte Modi, während die Spektren der SiGeSn-Legierungen Ähnlichkeiten mit SiGe aufweisen. Diese experimentellen Erkenntnisse sind von Bedeutung für Wissenschaftler und Ingenieure im Halbleiterbereich sowie für alle, die sich für die grundlegenden optischen Eigenschaften dieser neuartigen Materialien interessieren.

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