Structural properties of luminescent nitride semiconductors, Fachbücher von Vyacheslav Kachkanov

Das Buch "Structural properties of luminescent nitride semiconductors" bietet eine umfassende Analyse der strukturellen Eigenschaften von verschiedenen nitride Halbleitern, einschliesslich InGaN, AlGaN und InAlN. Es behandelt auch seltene Erden dotierte Materialien wie Tm, Er und Eu in GaN. Die vorgestellten Ergebnisse basieren auf fortgeschrittenen Methoden wie der Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS) und verschiedenen optischen Charakterisierungstechniken, darunter Kathodolumineszenz und Photolumineszenz. Ein besonderes Augenmerk liegt auf den ersten Versuchen, die Gitterpositionen der Emissionszentren in nitride Halbleitern zu identifizieren, was durch die Anwendung von X-ray Excited Optical Luminescence unterstützt wird. Dieses Fachbuch richtet sich an Wissenschaftler und Studierende, die sich mit der Materialwissenschaft und der Halbleiterphysik beschäftigen.