Controlling CoSi2 formation temperature by reactive deposition, Fachbücher von Hind Ali Ahmed

Das Fachbuch "Controlling CoSi2 formation temperature by reactive deposition" von Hind Ali Ahmed bietet eine umfassende Untersuchung der Reaktionsmechanismen zwischen Kobalt und Silizium unter ultra-hohem Vakuum. Es wird erläutert, wie die Temperatur des Substrats während der reaktiven Abscheidung die Bildung von Kobalt-Silizid-Filmen beeinflusst. Bei Temperaturen über 550°C entsteht ein CoSi2-Film, während bei Temperaturen unter 500°C CoSi gebildet wird. Das Buch nutzt fortschrittliche Methoden wie Echtzeit-RBS und Echtzeit-XRD, um die Auswirkungen der Abscheidetemperatur auf die Bildungstemperatur von CoSi2 zu analysieren. Die Ergebnisse zeigen, dass die Temperatur der reaktiven Abscheidung einen signifikanten Einfluss auf die nachfolgende Bildungstemperatur von CoSi2 hat, was für die Entwicklung von Materialien in der Halbleitertechnologie von Bedeutung ist.