Bias-Temperature-Instabilities in MOSFETs with high-k dielectrics, Fachbücher von Guido Groeseneken, Marc Aoulaiche, Her...

Das Fachbuch "Bias-Temperature-Instabilities in MOSFETs with high-k dielectrics" bietet eine umfassende Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von MOSFET-Architekturen, die mit Dielektrika hoher Permittivität und Metallgittern ausgestattet sind. Diese neuen Technologien sind entscheidend für die Weiterentwicklung von Halbleiterbauelementen, da herkömmliche SiO2-basierte Dielektrika an ihre Grenzen stossen. Die Arbeit konzentriert sich auf die Bias-Temperature-Instabilitäten, die als bedeutende Zuverlässigkeitsprobleme in MOS-Gate-Stacks bekannt sind. Durch die Analyse des elektrischen Verhaltens unter verschiedenen Stressbedingungen werden Modelle entwickelt, um die Instabilitätseffekte zu erklären. Zudem werden die Auswirkungen von Verarbeitungsparametern, Materialzusammensetzung und Abscheidetechniken untersucht, um Wege zur Verbesserung der BTI-Effekte aufzuzeigen. Ziel dieser Forschung ist es, optimierte Gate-Stacks mit höherer BTI-Robustheit zu schaffen.