AlGaN/GaN Heterostructures: Fabrication and Electrical Characterization, Fachbücher von Michael Awaah
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Produktdetails
Das Buch "AlGaN/GaN Heterostructures: Fabrication and Electrical Characterization" bietet eine umfassende Untersuchung der einzigartigen elektronischen Materialeigenschaften von GaN und seinen Heterostrukturen mit AlGaN. Diese Materialien sind besonders geeignet für die Herstellung von Hochleistungs-Elektronik- und Optoelektronikgeräten. Die Studie konzentriert sich auf die Herstellung und elektrische Charakterisierung von Al0.2Ga0.8N/GaN-Heterostrukturen, die durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsen sind. Es werden verschiedene Techniken zur Herstellung von kontaktierten Strukturen beschrieben, einschliesslich der sputter-deponierten Metallfilme, die für die elektrische Charakterisierung verwendet werden. Die Ergebnisse zeigen, dass die hergestellten HEMT-Geräte Transistorverhalten aufweisen, was auf das Potenzial dieser Heterostrukturen für zukünftige Anwendungen hinweist.
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Marke:Lap Lambert Academic