Optical transitions in silicon-based optoelectronic devices, Fachbücher von Patrick Rauter

Das Buch "Optical transitions in silicon-based optoelectronic devices" von Patrick Rauter bietet eine umfassende Analyse experimenteller Ergebnisse zu Intersubband-Übergängen in p-Typ SiGe-Heterostrukturen. Es werden zeitaufgelöste Photostromstudien vorgestellt, die es ermöglichen, die Relaxationszeiten von Intersubband-Übergängen zu bestimmen, die für die Entwicklung von Silizium-basierten Quantenkaskadenlasern von Bedeutung sind. Die Arbeit beleuchtet die Auswirkungen von Inter-Valenzband-Relaxation durch die Emission von LO-Phononen, die zu extrem kurzen Lebensdauern des angeregten Lochzustands führen. Zudem wird das Konzept der diagonalen Übergänge diskutiert, das eine Erhöhung dieser Relaxationszeiten ermöglicht. Das Buch behandelt auch neuartige Konzepte für SiGe-Quantenwell-Infrarot-Photodetektoren sowie innovative Ansätze zur Herstellung von Blocked-Impurity-Band-Detektoren, die im Terahertz-Bereich arbeiten.