Diffusion and clustering of B in Si, Fachbücher von Elena Bruno

Das Fachbuch "Diffusion and clustering of B in Si" von Elena Bruno bietet eine umfassende Analyse der Diffusion und Clusterbildung von Bor (B) in Silizium (Si), einem entscheidenden Material in der Mikroelektronik. Seit der Erfindung des Transistors hat Silizium eine zentrale Rolle in der Entwicklung leistungsfähigerer und kompakterer elektronischer Geräte gespielt. Dieses Buch beleuchtet die Herausforderungen, die mit der Verwendung von Bor als p-Typ-Dotiermittel verbunden sind, insbesondere die Diffusion und die Bildung von Defekten, die während der Herstellung von Halbleiterbauelementen auftreten. Die Autorin untersucht die Wechselwirkungen zwischen hochdotierten Borregionen und den durch Ioneneinstrahlung und thermische Behandlung erzeugten Defekten. Die Ergebnisse dieser Studien sind entscheidend für die Entwicklung neuer Methoden zur Kontrolle der Diffusion und der elektrischen Deaktivierung von Bor, was für die Herstellung von ultra-flachen Übergängen von grosser Bedeutung ist.